casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP296 E6433
codice articolo del costruttore | BSP296 E6433 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP296 E6433 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP296 E6433 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 364pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.79W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP296 E6433 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP296 E6433-FT |
IPU10N03LA
Infineon Technologies
IPU135N03L G
Infineon Technologies
IPU135N08N3 G
Infineon Technologies
IPU13N03LA G
Infineon Technologies
IPU20N03L G
Infineon Technologies
IPU50R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R1K4CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU50R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R2K0CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU50R3K0CEAKMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel