casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU13N03LA G
codice articolo del costruttore | IPU13N03LA G |
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Numero di parte futuro | FT-IPU13N03LA G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPU13N03LA G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1043pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO251-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU13N03LA G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU13N03LA G-FT |
IPC100N04S5L2R6ATMA1
Infineon Technologies
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Infineon Technologies
IPC70N04S54R6ATMA1
Infineon Technologies
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
IPC90N04S53R6ATMA1
Infineon Technologies
IPC90N04S5L3R3ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R1K5C6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R2K1C6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R360P6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel