casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU50R1K4CEAKMA1
codice articolo del costruttore | IPU50R1K4CEAKMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPU50R1K4CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPU50R1K4CEAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 178pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU50R1K4CEAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU50R1K4CEAKMA1-FT |
IPC70N04S54R6ATMA1
Infineon Technologies
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
IPC90N04S53R6ATMA1
Infineon Technologies
IPC90N04S5L3R3ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R1K5C6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R2K1C6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R360P6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S53R1ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S58R4ATMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel