casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU50R1K4CEAKMA1
codice articolo del costruttore | IPU50R1K4CEAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPU50R1K4CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPU50R1K4CEAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 178pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU50R1K4CEAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU50R1K4CEAKMA1-FT |
IPC70N04S54R6ATMA1
Infineon Technologies
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
IPC90N04S53R6ATMA1
Infineon Technologies
IPC90N04S5L3R3ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R1K5C6SATMA1
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IPL60R2K1C6SATMA1
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IPL60R360P6SATMA1
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IPL60R650P6SATMA1
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IPZ40N04S53R1ATMA1
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IPZ40N04S58R4ATMA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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