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Infineon Technologies BSO615CGHUMA1

Numero parte MFG
BSO615CGHUMA1
quantità disponibile
91250 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.365784
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSO615CGHUMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore BSO615CGHUMA1
Numero di parte futuro FT-BSO615CGHUMA1
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSO615CGHUMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO615CGHUMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSO615CGHUMA1-FT

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