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Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1

Name: BSO612CVGHUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO612CVGHUMA1
Price: 0.356048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (278 reviews)

Numero parte MFG: BSO612CVGHUMA1

quantità disponibile: 74560 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.356048

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSO612CVGHUMA1.pdf

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BSO612CVGHUMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSO612CVGHUMA1
Numero di parte futuro	FT-BSO612CVGHUMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BSO612CVGHUMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 25V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-DSO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO612CVGHUMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSO612CVGHUMA1-FT

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