casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM25GP120BOSA1
codice articolo del costruttore | BSM25GP120BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM25GP120BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM25GP120BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Potenza - Max | 230W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20A |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.5nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM25GP120BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM25GP120BOSA1-FT |
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation
XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
10M25DCF256C7G
Intel
10M50DAF256C6G
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
10AX057K2F35I1SG
Intel