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Microsemi Corporation APTGT35DA120D1G

Name: APTGT35DA120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT35DA120D1G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (103 reviews)

Numero parte MFG: APTGT35DA120D1G

quantità disponibile: 44330 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - IGBT 1200V 55A 205W D1

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTGT35DA120D1G.pdf

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APTGT35DA120D1G specificazioni

codice articolo del costruttore	APTGT35DA120D1G
Numero di parte futuro	FT-APTGT35DA120D1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
APTGT35DA120D1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	55A
Potenza - Max	205W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT35DA120D1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTGT35DA120D1G-FT

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