casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT35DA120D1G
codice articolo del costruttore | APTGT35DA120D1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT35DA120D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT35DA120D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Potenza - Max | 205W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT35DA120D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT35DA120D1G-FT |
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation
APTGF75DA120T1G
Microsemi Corporation
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5CEFA9F23I7N
Intel
5AGXBB7D4F35C5N
Intel