casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT35H120T1G
codice articolo del costruttore | APTGT35H120T1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APTGT35H120T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT35H120T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Potenza - Max | 208W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT35H120T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT35H120T1G-FT |
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation
APTGF75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGF75DA60D1G
Microsemi Corporation