casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT35A120D1G
codice articolo del costruttore | APTGT35A120D1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT35A120D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT35A120D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Potenza - Max | 205W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT35A120D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT35A120D1G-FT |
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel