casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSM180C12P2E202
codice articolo del costruttore | BSM180C12P2E202 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM180C12P2E202 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM180C12P2E202 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 204A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | +22V, -6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1360W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM180C12P2E202 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM180C12P2E202-FT |
N0434N-S23-AY
Renesas Electronics America
N0602N-S19-AY
Renesas Electronics America
N0603N-S23-AY
Renesas Electronics America
N0604N-S19-AY
Renesas Electronics America
NTMFS10N3D2C
ON Semiconductor
NTMFS10N7D2C
ON Semiconductor
RJK03M2DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M3DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M4DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M5DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel