casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSM080D12P2C008
codice articolo del costruttore | BSM080D12P2C008 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM080D12P2C008 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM080D12P2C008 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 13.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
Potenza - Max | 600W |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM080D12P2C008 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM080D12P2C008-FT |
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJQ900E-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIZ342DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ320DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ346DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ322DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ328DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ340DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ348DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP4CE6E22C6N
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel