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Rohm Semiconductor BSM080D12P2C008

Name: BSM080D12P2C008
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM080D12P2C008
Price: 246.488 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (499 reviews)

Numero parte MFG: BSM080D12P2C008

quantità disponibile: 69160 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 246.488

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - SIC POWER MODULE-1200V-80A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSM080D12P2C008.pdf

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BSM080D12P2C008 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSM080D12P2C008
Numero di parte futuro	FT-BSM080D12P2C008
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
BSM080D12P2C008 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 13.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
Potenza - Max	600W
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM080D12P2C008 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSM080D12P2C008-FT

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