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codice articolo del costruttore | SI2305ADS-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2305ADS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2305ADS-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2305ADS-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2305ADS-T1-E3-FT |
BSS123L7874XT
Infineon Technologies
BSS123NH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS123_D87Z
ON Semiconductor
BSS126 E6327
Infineon Technologies
BSS126 E6906
Infineon Technologies
BSS126H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS126H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS127 E6327
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel