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codice articolo del costruttore | SI2308CDS-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2308CDS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SI2308CDS-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144 mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2308CDS-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2308CDS-T1-GE3-FT |
BSS126H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS126H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS127 E6327
Infineon Technologies
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS131E6327
Infineon Technologies
BSS131L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS138-D87Z
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel