casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / APTM10TAM19FPG
codice articolo del costruttore | APTM10TAM19FPG |
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Numero di parte futuro | FT-APTM10TAM19FPG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM10TAM19FPG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
Potenza - Max | 208W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6-P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10TAM19FPG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM10TAM19FPG-FT |
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