casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC240N12NS3 G
codice articolo del costruttore | BSC240N12NS3 G |
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Numero di parte futuro | FT-BSC240N12NS3 G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC240N12NS3 G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 60V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 66W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC240N12NS3 G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC240N12NS3 G-FT |
BSC022N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC024N025S G
Infineon Technologies
BSC025N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC026N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC026N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC027N03S G
Infineon Technologies
BSC027N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel