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codice articolo del costruttore | BSC028N06LS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC028N06LS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC028N06LS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC028N06LS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC028N06LS3GATMA1-FT |
IPC50N04S55R8ATMA1
Infineon Technologies
IRFH7440TRPBF
Infineon Technologies
BSC014NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC009NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ040N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel