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codice articolo del costruttore | BSC026N08NS5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC026N08NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC026N08NS5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 115µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC026N08NS5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC026N08NS5ATMA1-FT |
BSC040N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPC50N04S55R8ATMA1
Infineon Technologies
IRFH7440TRPBF
Infineon Technologies
BSC014NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSIATMA1
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BSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC009NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel