casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC024N025S G
codice articolo del costruttore | BSC024N025S G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSC024N025S G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC024N025S G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6530pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC024N025S G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC024N025S G-FT |
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC050NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ035N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC040N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPC50N04S55R8ATMA1
Infineon Technologies
IRFH7440TRPBF
Infineon Technologies
BSC014NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation