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codice articolo del costruttore | BSC205N10LS G |
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Numero di parte futuro | FT-BSC205N10LS G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC205N10LS G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Ta), 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 43µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 76W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC205N10LS G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC205N10LS G-FT |
BSC022N03S
Infineon Technologies
BSC022N03SG
Infineon Technologies
BSC022N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC024N025S G
Infineon Technologies
BSC025N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC026N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC026N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC027N03S G
Infineon Technologies
BSC027N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel