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Infineon Technologies BSC022N03S

Name: BSC022N03S
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC022N03S
Availability: InStock
Rating: 4.6 (124 reviews)

Numero parte MFG: BSC022N03S

quantità disponibile: 31850 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSC022N03S.pdf

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BSC022N03S specificazioni

codice articolo del costruttore	BSC022N03S
Numero di parte futuro	FT-BSC022N03S
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC022N03S Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7490pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC022N03S Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSC022N03S-FT

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