casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC072N025S G
codice articolo del costruttore | BSC072N025S G |
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Numero di parte futuro | FT-BSC072N025S G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC072N025S G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC072N025S G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC072N025S G-FT |
BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC882N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ086P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ088N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ088N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ0909NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ165N04NSGATMA1
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel