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Infineon Technologies BSZ086P03NS3EGATMA1

Name: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3EGATMA1
Price: 0.267304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (566 reviews)

Numero parte MFG: BSZ086P03NS3EGATMA1

quantità disponibile: 64680 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.267304

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf

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BSZ086P03NS3EGATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSZ086P03NS3EGATMA1
Numero di parte futuro	FT-BSZ086P03NS3EGATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSZ086P03NS3EGATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13.5A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 105µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4785pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ086P03NS3EGATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSZ086P03NS3EGATMA1-FT

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