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Infineon Technologies BSZ165N04NSGATMA1

Numero parte MFG
BSZ165N04NSGATMA1
quantità disponibile
49690 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.243304
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BSZ165N04NSGATMA1
Numero di parte futuro FT-BSZ165N04NSGATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSZ165N04NSGATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ165N04NSGATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSZ165N04NSGATMA1-FT

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