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Infineon Technologies BSC900N20NS3GATMA1

Numero parte MFG
BSC900N20NS3GATMA1
quantità disponibile
41240 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.600368
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-BSC900N20NS3GATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSC900N20NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC900N20NS3GATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSC900N20NS3GATMA1-FT

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