codice articolo del costruttore | BDW83C |
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Numero di parte futuro | FT-BDW83C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDW83C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 150mA, 15A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 130W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDW83C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDW83C-FT |
2SC2712-BL,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1162-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1162-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1182-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1298-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TMBT3904,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3325-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TMBT3906,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1162S-GR,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1162S-Y, LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel