casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1162-Y,LF
codice articolo del costruttore | 2SA1162-Y,LF |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1162-Y,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1162-Y,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1162-Y,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1162-Y,LF-FT |
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6SHP1FM
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2SC2229-O(TE6,F,M)
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2SC2229-Y(MIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(MIT1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SAN2,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P060-VQG100T
Microsemi Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX30CF23C6
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EP4CE6F17A7N
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EP3C10U256C8
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5SGXEA5K1F40I2N
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5SGSED8K3F40C2LN
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5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F672C
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