codice articolo del costruttore | BCY79-X |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BCY79-X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCY79-X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 2.5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 380 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCY79-X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCY79-X-FT |
JANTXV2N5415
Microsemi Corporation
JANTXV2N5415S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5416
Microsemi Corporation
JANTXV2N5665
Microsemi Corporation
JANTXV2N5666S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5667
Microsemi Corporation
JANTXV2N5681
Microsemi Corporation
JANTXV2N6051
Microsemi Corporation
JANTXV2N6058
Microsemi Corporation
JANTXV2N6059
Microsemi Corporation
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel