casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N5415S
codice articolo del costruttore | JANTXV2N5415S |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N5415S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANTXV2N5415S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5415S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N5415S-FT |
JAN2N6287
Microsemi Corporation
JAN2N6298
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JAN2N6300
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JAN2N6306
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JAN2N6308
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JAN2N6383
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JAN2N6384
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JAN2N6674
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JAN2N6675
Microsemi Corporation
JAN2N6676
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
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Intel
10M25DAF484I6G
Intel
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Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
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Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel