casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N6059
codice articolo del costruttore | JANTXV2N6059 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N6059 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/502 |
JANTXV2N6059 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 (TO-204AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6059 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N6059-FT |
JAN2N6675
Microsemi Corporation
JAN2N6676
Microsemi Corporation
JAN2N6678
Microsemi Corporation
JAN2N7369
Microsemi Corporation
APT27ZTR-G1
Diodes Incorporated
DSS5220T-13
Diodes Incorporated
DSS5220T-7
Diodes Incorporated
DXTN3C60PS-13
Diodes Incorporated
JANTX2N1893
Microsemi Corporation
JANTX2N1893S
Microsemi Corporation
XA3S400A-4FGG400I
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD5K2F40C3N
Intel
EP3SE260F1517C2
Intel
5SGXMA5N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35C4N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923E
Xilinx Inc.
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation