casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N5665
codice articolo del costruttore | JANTXV2N5665 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N5665 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JANTXV2N5665 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 2.5W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 (TO-213AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5665 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N5665-FT |
JAN2N6300
Microsemi Corporation
JAN2N6306
Microsemi Corporation
JAN2N6308
Microsemi Corporation
JAN2N6383
Microsemi Corporation
JAN2N6384
Microsemi Corporation
JAN2N6674
Microsemi Corporation
JAN2N6675
Microsemi Corporation
JAN2N6676
Microsemi Corporation
JAN2N6678
Microsemi Corporation
JAN2N7369
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel