casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCX6825E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCX6825E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCX6825E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCX6825E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 500mA, 1V |
Potenza - Max | 3W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCX6825E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCX6825E6327HTSA1-FT |
JAN2N2605
Microsemi Corporation
JAN2N5582
Microsemi Corporation
JANTX2N2605
Microsemi Corporation
JANTX2N3486A
Microsemi Corporation
JANTX2N5582
Microsemi Corporation
JANTXV2N2605
Microsemi Corporation
JANTXV2N3057A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2946A
Microsemi Corporation
JAN2N2945A
Microsemi Corporation
JAN2N2946A
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel