casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N5582
codice articolo del costruttore | JAN2N5582 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN2N5582 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/423 |
JAN2N5582 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-46-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5582 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N5582-FT |
JANS2N3637
Microsemi Corporation
JANTX2N5682
Microsemi Corporation
JANTX2N3498
Microsemi Corporation
JAN2N3501
Microsemi Corporation
JANTX2N3506
Microsemi Corporation
JANTX2N3500
Microsemi Corporation
JANS2N3501
Microsemi Corporation
JANTX2N5416S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3019S
Microsemi Corporation
JAN2N3735
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel