casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2605
codice articolo del costruttore | JAN2N2605 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2605 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/354 |
JAN2N2605 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 400mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-46-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2605 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2605-FT |
JANTX2N3501
Microsemi Corporation
JANS2N3637
Microsemi Corporation
JANTX2N5682
Microsemi Corporation
JANTX2N3498
Microsemi Corporation
JAN2N3501
Microsemi Corporation
JANTX2N3506
Microsemi Corporation
JANTX2N3500
Microsemi Corporation
JANS2N3501
Microsemi Corporation
JANTX2N5416S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3019S
Microsemi Corporation
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQ208
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX110-2FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel