casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N2946A
codice articolo del costruttore | JANTXV2N2946A |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N2946A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/382 |
JANTXV2N2946A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 1mA, 500mV |
Potenza - Max | 400mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-46 (TO-206AB) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N2946A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N2946A-FT |
JANS2N3501
Microsemi Corporation
JANTX2N5416S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3019S
Microsemi Corporation
JAN2N3735
Microsemi Corporation
JAN2N4033
Microsemi Corporation
JANTX2N2219AL
Microsemi Corporation
JANTX2N2904A
Microsemi Corporation
JANTX2N2905A
Microsemi Corporation
JANTX2N3019S
Microsemi Corporation
JANTX2N3735
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel