casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCV29E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCV29E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCV29E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCV29E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCV29E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCV29E6327HTSA1-FT |
JAN2N3700
Microsemi Corporation
JANTX2N2907A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2369A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2369A
Microsemi Corporation
JAN2N2484
Microsemi Corporation
JAN2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N2222A
Microsemi Corporation
JANTX2N2222AL
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
P1AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFC672-2
Intel
5SGSED8K2F40I3N
Intel
5SGXMB5R1F43I2N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation