casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCV29E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCV29E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCV29E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCV29E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCV29E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCV29E6327HTSA1-FT |
JAN2N3700
Microsemi Corporation
JANTX2N2907A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2369A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2369A
Microsemi Corporation
JAN2N2484
Microsemi Corporation
JAN2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N2222A
Microsemi Corporation
JANTX2N2222AL
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation