casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCV29E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCV29E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCV29E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCV29E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCV29E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCV29E6327HTSA1-FT |
JAN2N3700
Microsemi Corporation
JANTX2N2907A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2369A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2369A
Microsemi Corporation
JAN2N2484
Microsemi Corporation
JAN2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N2222A
Microsemi Corporation
JANTX2N2222AL
Microsemi Corporation
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3L
Intel
XC7VX485T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel