casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N4029
codice articolo del costruttore | JAN2N4029 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N4029 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/512 |
JAN2N4029 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 (TO-206AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N4029 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N4029-FT |
JANTXV2N3767
Microsemi Corporation
JANTXV2N3741
Microsemi Corporation
JANTXV2N3421
Microsemi Corporation
JANTXV2N3421S
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222AUA
Microsemi Corporation
JAN2N3501UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3501UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N3501UB
Microsemi Corporation
2N3501UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3700UB
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel