casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCV28H6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BCV28H6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCV28H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BCV28H6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCV28H6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCV28H6327XTSA1-FT |
JAN2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N3700
Microsemi Corporation
JANTX2N2907A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2369A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2369A
Microsemi Corporation
JAN2N2484
Microsemi Corporation
JAN2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N2222A
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
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EP4SGX110FF35C4N
Intel