casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR583E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCR583E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR583E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR583E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 330mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR583E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR583E6327HTSA1-FT |
DTC143ECA-TP
Micro Commercial Co
DTC143ZCA-TP
Micro Commercial Co
DTC144ECA-TP
Micro Commercial Co
FJV4114RMTF
ON Semiconductor
DRA2114E0L
Panasonic Electronic Components
DRA2114T0L
Panasonic Electronic Components
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DRA2115E0L
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DRA2115T0L
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XC3S200A-4FT256I
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Xilinx Inc.
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LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
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EP4S100G3F45I3
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5SGXEB6R2F43C2N
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XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
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5SGXEA3H3F35I4N
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