casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA2115G0L
codice articolo del costruttore | DRA2115G0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA2115G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2115G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2115G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA2115G0L-FT |
FJN3305RTA
ON Semiconductor
FJN4309RTA
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FJN4301RTA
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XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5F256I
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10AX115N2F40E2LG
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