casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA2115E0L
codice articolo del costruttore | DRA2115E0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA2115E0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2115E0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2115E0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA2115E0L-FT |
FJN3302RTA
ON Semiconductor
FJN3305RTA
ON Semiconductor
FJN4309RTA
ON Semiconductor
FJN4301RTA
ON Semiconductor
FJN3303RTA
ON Semiconductor
FJN3304RTA
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FJN3306RTA
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FJN3307RTA
ON Semiconductor
FJN3308RTA
ON Semiconductor
FJN3309RTA
ON Semiconductor
LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FGG400Q
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7H3F35C4N
Intel
XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19I7N
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel