casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA2115T0L
codice articolo del costruttore | DRA2115T0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA2115T0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2115T0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2115T0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA2115T0L-FT |
FJN4309RTA
ON Semiconductor
FJN4301RTA
ON Semiconductor
FJN3303RTA
ON Semiconductor
FJN3304RTA
ON Semiconductor
FJN3306RTA
ON Semiconductor
FJN3307RTA
ON Semiconductor
FJN3308RTA
ON Semiconductor
FJN3309RTA
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FJN3310RTA
ON Semiconductor
FJN3311RTA
ON Semiconductor
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
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A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
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A3PN060-1VQ100I
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EP3SE50F484C4L
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5SGXMB5R2F43C2LN
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XCV50-5BG256I
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APA150-TQ100
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5AGXFA7H4F35C4N
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