casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC856BDW1T1
codice articolo del costruttore | BC856BDW1T1 |
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Numero di parte futuro | FT-BC856BDW1T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC856BDW1T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 380mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BDW1T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC856BDW1T1-FT |
EMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
EMX1DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVT3946DXV6T1G
ON Semiconductor
SBC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVT3906DXV6T1G
ON Semiconductor
EMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
SNST3904DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVT30010MXV6T1G
ON Semiconductor
EMX2DXV6T5G
ON Semiconductor
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S1500L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGXEA7K2F35I3L
Intel
AX500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP2S90F1508I4
Intel
EP2C20Q240C8
Intel