casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMX1DXV6T1G
codice articolo del costruttore | EMX1DXV6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-EMX1DXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMX1DXV6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX1DXV6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMX1DXV6T1G-FT |
UMX4NTR
Rohm Semiconductor
UMX5NTR
Rohm Semiconductor
UMZ7NTR
Rohm Semiconductor
UMT18NTR
Rohm Semiconductor
UMT2NTR
Rohm Semiconductor
UMX18NTN
Rohm Semiconductor
UMB10NFHATN
Rohm Semiconductor
UMB2NFHATN
Rohm Semiconductor
UMB3NFHATN
Rohm Semiconductor
UMB4NFHATN
Rohm Semiconductor
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel