casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMX2DXV6T5G
codice articolo del costruttore | EMX2DXV6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-EMX2DXV6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMX2DXV6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX2DXV6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMX2DXV6T5G-FT |
UMT18NTR
Rohm Semiconductor
UMT2NTR
Rohm Semiconductor
UMX18NTN
Rohm Semiconductor
UMB10NFHATN
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XC3S400-4FG320C
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XC3S250E-4PQ208C
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XA7A100T-1FGG484I
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EP2C35U484C7
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XC2VP20-5FF896I
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XC7S6-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQG100
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LCMXO3L-640E-6MG121I
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5CEFA5F23I7N
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EP4CE30F29I7
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