casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / SBC847CDXV6T1G
codice articolo del costruttore | SBC847CDXV6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SBC847CDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SBC847CDXV6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBC847CDXV6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBC847CDXV6T1G-FT |
UMX1NTN
Rohm Semiconductor
UMX3NTR
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UMT18NTR
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UMT2NTR
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UMX18NTN
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UMB10NFHATN
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A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
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5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
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XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
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