casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC847BFAQ-7B
codice articolo del costruttore | BC847BFAQ-7B |
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Numero di parte futuro | FT-BC847BFAQ-7B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC847BFAQ-7B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 435mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN0806-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847BFAQ-7B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC847BFAQ-7B-FT |
2N5430
Microsemi Corporation
2N5581
Microsemi Corporation
2N5582
Microsemi Corporation
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2N5661
Microsemi Corporation
2N5661U3
Microsemi Corporation
2N5662
Microsemi Corporation
2N5664
Microsemi Corporation
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2N5666
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
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