casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC847BFAQ-7B
codice articolo del costruttore | BC847BFAQ-7B |
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Numero di parte futuro | FT-BC847BFAQ-7B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC847BFAQ-7B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 435mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN0806-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847BFAQ-7B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC847BFAQ-7B-FT |
2N5430
Microsemi Corporation
2N5581
Microsemi Corporation
2N5582
Microsemi Corporation
2N5660
Microsemi Corporation
2N5661
Microsemi Corporation
2N5661U3
Microsemi Corporation
2N5662
Microsemi Corporation
2N5664
Microsemi Corporation
2N5665
Microsemi Corporation
2N5666
Microsemi Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation