casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV103-TP
codice articolo del costruttore | BAV103-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BAV103-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV103-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV103-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV103-TP-FT |
1N6640US
Microsemi Corporation
1N6642U
Microsemi Corporation
1N6628US
Microsemi Corporation
1N6627US
Microsemi Corporation
1N6626US
Microsemi Corporation
1N6625US
Microsemi Corporation
1N6536
Microsemi Corporation
1N5814
Microsemi Corporation
1N5812
Microsemi Corporation
1N5811TR
Microsemi Corporation
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation