codice articolo del costruttore | 1N5814 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5814 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5814 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5814 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5814-FT |
DSB3A40
Microsemi Corporation
DSB5712
Microsemi Corporation
APT60S20SG/TR
Microsemi Corporation
APT60D100SG
Microsemi Corporation
APT60D120SG
Microsemi Corporation
APT60S20SG
Microsemi Corporation
APT30SCD120S
Microsemi Corporation
APT20SCD120S
Microsemi Corporation
APT30S20SG
Microsemi Corporation
APT20SCD120B
Microsemi Corporation
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel