casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N6625US
codice articolo del costruttore | 1N6625US |
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Numero di parte futuro | FT-1N6625US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6625US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1100V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6625US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6625US-FT |
DSB3A20
Microsemi Corporation
DSB3A30
Microsemi Corporation
DSB3A40
Microsemi Corporation
DSB5712
Microsemi Corporation
APT60S20SG/TR
Microsemi Corporation
APT60D100SG
Microsemi Corporation
APT60D120SG
Microsemi Corporation
APT60S20SG
Microsemi Corporation
APT30SCD120S
Microsemi Corporation
APT20SCD120S
Microsemi Corporation
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
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