casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N6627US
codice articolo del costruttore | 1N6627US |
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Numero di parte futuro | FT-1N6627US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6627US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 440V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 440V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6627US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6627US-FT |
DSB0.5A40
Microsemi Corporation
DSB2810
Microsemi Corporation
DSB3A20
Microsemi Corporation
DSB3A30
Microsemi Corporation
DSB3A40
Microsemi Corporation
DSB5712
Microsemi Corporation
APT60S20SG/TR
Microsemi Corporation
APT60D100SG
Microsemi Corporation
APT60D120SG
Microsemi Corporation
APT60S20SG
Microsemi Corporation
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation